Contexte :

Un matériau diélectrique soumis à des radiations voit ses propriétés macroscopiques altérées. Ces modifications sont dues à la création à l’échelle atomique de défauts ponctuels qui affectent ses propriétés optiques et électroniques. Pour caractériser ces défauts, la simulation à l’échelle atomique apparait donc particulièrement adaptée. Pour cela, trois étapes peuvent être enchainées : à partir des structures atomiques des défauts obtenues dans le cadre de la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT), on applique la théorie de perturbation à plusieurs corps pour calculer la structure électronique (approximation GW) et les propriétés optiques des défauts (équation de Bethe-SalpeterBSE). Les codes permettant de réaliser ces trois étapes d’affilée sur des cellules de simulation de grandes tailles nécessaires pour un défaut dilué neutre ou chargé n’existent pas totalement à l’heure actuelle.

Objectif du post-doctorat :

Le travail de post-doctorat consistera à faire les développements nécessaires dans le code Abinit, à comparer ses résultats à d’autres codes de la communauté (SaX, BerkeleyGW…) et à les valider sur des défauts dans trois matériaux d’intérêts pour nos applications: SiO2, HfO2 et SiC.

Contact :

Nicolas RICHARD CEA/DIF – Bruyères-le-Châtel – 91297 Arpajon – 01 69 26 40 00