Sensibilité des composants nanoélectroniques innovants aux effets des radiations

Contexte :

L’évolution et l’intégration des composants électroniques reposent depuis longtemps sur la miniaturisation des dimensions des transistors. Leur taille atteint désormais des dimensions telles que les épaisseurs de couches minces ne contiennent plus que quelques couches atomiques. Pour poursuivre l’intégration des composants, une des voies les plus prometteuses consiste à explorer les empilements en 3D de composants. Cette démarche initiée au CEA LETI depuis plusieurs années a permis l’apparition de composants tels que les FinFETs, les nano-fils de silicium et plus récemment les nano-sheets. Les premières études radiatives du CEA DIF montrent que les premières générations de ces technologies sont prometteuses, et identifiées comme solution possible pour l’électronique du futur. Ces études radiatives nécessitent d’être poursuivies sur les dernières générations technologiques actuellement développées au CEA LETI.

Objectif :

Les objectifs de ce post-doctorat seront :

• De comprendre le fonctionnement des composants avancés du CEA LETI et des effets prédominants des radiations dans l’électronique.
• D’identifier, de modéliser et de simuler numériquement les environnements radiatifs d’intérêt et leur interaction avec les zones sensibles des dispositifs.
• De définir et réaliser les tests radiatifs pertinents par rapport aux environnements définis.
• D’évaluer les règles de conception pour optimiser les futurs composants électroniques afin de les rendre plus résistants aux effets des radiations.

CENTRE

DAM – Île-de-France
Bruyères-le-Châtel – 91297 Arpajon
01-69-26-40-00

CONTACT

LAMBERT Damien
damien.lambert@cea.fr